Dual, SiGe, High-Linearity, 1200MHz to 2000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
( Typical Application Circuit optimized for the Standard RF Band (see Table 1) . V CC = 3.3V, f RF = 1200MHz to 1700MHz, LO is
high-side injected for a 350MHz IF, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm, T C = +25°C, unless otherwise noted.)
-20
-30
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.3V
T C = -40°C
-20
-30
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.3V
P LO = +3dBm
-20
-30
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.6V
-40
T C = +25°C
-40
P LO = 0dBm
-40
V CC = 3.3V
-50
T C = +85°C
-50
P LO = -3dBm
-50
V CC = 3.0V
-60
-70
-60
-70
P LO = -6dBm
-60
-70
1400
1600
1800
2000
2200
1400
1600
1800
2000
2200
1400
1600
1800
2000
2200
-10
-20
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.3V
T C = -40°C
-10
-20
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.3V
P LO = +3dBm
-10
-20
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-30
T C = +25°C
-30
P LO = 0dBm
-30
V CC = 3.6V
V CC = 3.3V
-40
T C = +85°C
-40
P LO = -6dBm P LO = -3dBm
-40
-50
-60
-50
-60
-50
-60
V CC = 3.0V
1400
1600
1800
2000
2200
1400
1600
1800
2000
2200
1400
1600
1800
2000
2200
65
LO FREQUENCY (MHz)
LO SWITCH ISOLATION
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.3V
T C = -40°C
65
LO FREQUENCY (MHz)
LO SWITCH ISOLATION
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.3V
65
LO FREQUENCY (MHz)
LO SWITCH ISOLATION
vs. LO FREQUENCY
55
T C = +25°C
55
55
45
45
P LO = -6dBm, -3dBm, 0dBm, +3dBm
45
V CC = 3.0V, 3.3V, 3.6V
T C = +85°C
35
35
35
1400
1600
1800
2000
2200
1400
1600
1800
2000
2200
1400
1600
1800
2000
2200
LO FREQUENCY (MHz)
LO FREQUENCY (MHz)
LO FREQUENCY (MHz)
15
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